近年来，跟着碳化硅技能的不断老练，职业对碳化硅功率器材的运用需求正日益趋向多样化、集成化及轻量化。碳化硅功率器材具有极低的门极电荷与导通阻抗、极高的开关速率以及高耐温等优秀特性，使其可以高频率地运转。因此选用碳化硅功率器材，有助于整机端下降功率损耗、进步功率密度以及提高转化功率等。

　　针对碳化硅功率器材的市场需求，青铜剑技能根据光耦阻隔驱动计划，规划了一款双通道、紧凑型驱动核2CD0205T12-ABC，可运用于空间存在约束、中低压和高可靠性范畴。

　　该款碳化硅MOSFET驱动核，因其紧凑、布局灵敏与走线友爱的特征，能简化客户的外围电路规划，便于客户快速迭代开发、出产、装置及运用。

　　本驱动核集成的软关断功用，可有用按捺碳化硅MOSFET在发生短路时发生的尖峰电压。2CD0205T12-ABC驱动核内部集成VDSDT检测和软关断功用，当检测到模块进入退保和时，驱动核输出的门极信号在2us内的呼应享用后，进入软关断阶段，下降因为过高的短路电流所带来的关断尖峰电压。

　　青铜剑技能专心于功率器材驱动器、驱动IC、测验设备的研制、出产、出售和服务，产品大范围的运用于新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业操控等范畴。

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　　MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受喜爱，成为高功率、高频运用中的首选。作为

　　外延机台产品组合（包括适用于6英寸晶圆的 PE1O6 和适用于8英寸晶圆的 PE1O8）的逐步增强。该机台选用独立双

　　外延机台 /

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　　（SiliconCarbide，简称SiC）功率器材是近年来电力电子范畴的一项革命性

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　　（SiC）作为一种新式的半导体资料，以其优异的物理和化学功能，在功率电子器材范畴展现出巨大的运用潜力。

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　　晶片切开是半导体器材制作的关键步骤，切开方法和质量直接影响晶片的厚度、外表十分润滑度、尺度和出产所带来的本钱，显着对器材制作也有严重影响。

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　　（SiC）是一种宽禁带半导体资料，具有高热导率、高击穿场强、高饱满电子漂移速率和高键合能等长处。因为这些优异的功能，

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　　（SiC）是一种优秀的宽禁带半导体资料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特征，因此在高温、高频、大功率运用范畴具有十分显着优势。

　　青铜剑技能新一代I型三电平小功率IGBT驱动核2QD0225T12-Q解析

　　青铜剑技能适配PrimePACK™封装IGBT模块双通道2QP0320Txx-CN

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